Mar 24, 2026 একটি বার্তা রেখে যান

6N বনাম 8N পলিসিলিকন: বিশুদ্ধতা, অ্যাপ্লিকেশন এবং নির্বাচনের মানদণ্ড

N স্বরলিপি মানে কি

6N এবং 8N পলিসিলিকনের মধ্যে N মানে হল বিশুদ্ধতার মানের মধ্যে নাইনের সংখ্যা দুটি নাইনের পার্থক্য কাগজে ছোট দেখায় কিন্তু অপরিচ্ছন্নতা স্তরের শতগুণ হ্রাসের প্রতিনিধিত্ব করে এবং এটি উত্পাদন খরচ এবং উপাদানটি পরিবেশন করতে পারে এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে একটি বড় প্রভাব ফেলে।

কিভাবে 6N এবং 8N পলিসিলিকন তৈরি করা হয়

বেশিরভাগ পলিসিলিকন সিমেন্স প্রক্রিয়া দ্বারা তৈরি করা হয়, যেখানে ট্রাইক্লোরোসিলেন গরম সিলিকন রডগুলিতে পচে যায়, বা তরলযুক্ত বেড রিঅ্যাক্টর প্রক্রিয়া দ্বারা, যা দানাদার পলিসিলিকন তৈরি করে। উভয় রুটই সিলিকনকে খুব উচ্চ স্তরে বিশুদ্ধ করে, এবং চূড়ান্ত বিশুদ্ধতা ফিডস্টক গ্যাসের গুণমান, চুল্লি উপকরণ এবং পরিশোধন পদক্ষেপ দ্বারা নিয়ন্ত্রিত হয়। জমা করার পরে, রডগুলিকে চূর্ণ করা হয় এবং উপাদানটিকে আকার এবং বিশুদ্ধতা অনুসারে খণ্ডে শ্রেণীবদ্ধ করা হয়। একই উত্পাদন লাইন সাধারণত 6N এবং 8N উভয় উপাদান তৈরি করতে পারে, তবে 8N গ্রেডের দূষণ এড়াতে কঠোর প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ এবং আরও যত্নবান হ্যান্ডলিং প্রয়োজন।

6N পলিসিলিকনের অ্যাপ্লিকেশন

6N পলিসিলিকন হল ক্লাসিক সৌর-গ্রেডের উপাদান। এটি Czochralski পদ্ধতিতে মনোক্রিস্টালাইন ইঙ্গটগুলি বৃদ্ধি করতে এবং বহু-ক্রিস্টালাইন ইনগটগুলি ঢালাই করতে ব্যবহৃত হয়, যেগুলি ফটোভোলটাইক কোষগুলির জন্য ওয়েফারগুলিতে কাটা হয়। আদর্শ সৌর কোষের জন্য, 6N এর বিশুদ্ধতা যথেষ্ট কারণ কোষটি ধাতব অমেধ্যের পরিমিত মাত্রা সহ্য করে এবং নিম্ন বিশুদ্ধতা খরচ কম রাখে। বাস্তবে, অনেক সৌর উৎপাদক আজ উচ্চ-দক্ষ কোষের কাঠামোর জন্য 7N বা 8N মানের উপাদান ব্যবহার করে, কারণ অতিরিক্ত বিশুদ্ধতা ক্যারিয়ারের জীবনকাল উন্নত করে এবং সেইজন্য কোষের কার্যক্ষমতা বাড়ায়।

8N পলিসিলিকনের অ্যাপ্লিকেশন

8N পলিসিলিকন সোলার গ্রেড এবং ইলেকট্রনিক গ্রেডের মধ্যে বসে। এটি উচ্চ-দক্ষতা সম্পন্ন ফটোভোলটাইক কোষ যেমন TOPCon এবং heterojunction কোষগুলির জন্য ব্যবহৃত হয়, যেখানে 25 শতাংশের উপরে দক্ষতা পৌঁছানোর জন্য খুব কম ধাতব দূষণ প্রয়োজন, এবং এটি কিছু পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর এবং সেন্সর অ্যাপ্লিকেশনের জন্যও উপযুক্ত। ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে ব্যবহৃত সত্যিকারের ইলেকট্রনিক-গ্রেডের পলিসিলিকন আরও বিশুদ্ধ, সাধারণত 9N থেকে 11N, কারণ একটি গুরুত্বপূর্ণ স্থানে একটি একক ধাতব পরমাণু একটি ডিভাইসকে ধ্বংস করতে পারে। ক্রেতাদের বুঝতে হবে যে উন্নত চিপ ফ্যাবগুলিতে 8N ইলেকট্রনিক গ্রেডের বিকল্প নয়।

অমেধ্য, ডোপিং এবং প্রতিরোধ ক্ষমতা

বিশুদ্ধতা গ্রেডগুলি মোট অপবিত্রতার মাত্রা বর্ণনা করে, কিন্তু অপরিচ্ছন্নতার ধরন পরিমাণের মতোই গুরুত্বপূর্ণ। দাতা উপাদান যেমন ফসফরাস এবং আর্সেনিক এবং গ্রহণকারী উপাদান যেমন বোরন বর্ধিত স্ফটিকের প্রতিরোধ ক্ষমতা নিয়ন্ত্রণ করে, অন্যদিকে লোহা, তামা এবং নিকেলের মতো ধাতব অমেধ্য ক্যারিয়ারের জীবনকাল হ্রাস করে এবং ডিভাইসের কার্যকারিতা ক্ষতি করে। পলিসিলিকন স্পেসিফিকেশন তাই ধাতু এবং ডোপ্যান্টের জন্য পৃথক অপরিষ্কার সীমা তালিকাভুক্ত করে, প্রতি বিলিয়ন অংশে পরিমাপ করা হয়। যখন পলিসিলিকন স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য গলিত হয়, তখন ডোপান্ট ইচ্ছাকৃতভাবে একটি নিয়ন্ত্রিত উপায়ে যোগ করা হয়, তাই বেস পলিসিলিকন দাতা এবং গ্রহণকারী উভয়ের অমেধ্য খুব কম হওয়া উচিত।

কিভাবে 6N এবং 8N এর মধ্যে নির্বাচন করবেন

নির্বাচনটি অ্যাপ্লিকেশন দ্বারা চালিত হওয়া উচিত, গ্রেডের নাম দ্বারা নয়। স্ট্যান্ডার্ড সোলার ওয়েফারের জন্য, 6N উপাদান প্রতি ওয়াটের সর্বনিম্ন খরচ দেয় এবং সম্পূর্ণরূপে পর্যাপ্ত। উচ্চ-দক্ষতা সেল লাইনের জন্য এবং দীর্ঘ ক্যারিয়ারের প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য, 8N উপাদান প্রিমিয়ামের মূল্য। সেমিকন্ডাক্টর ফ্যাব্রিকেশনের জন্য, ক্রেতার ইলেকট্রনিক-গ্রেডের উপাদান প্রয়োজন, সাধারণত 9N বা তার উপরে, এবং সরবরাহকারীর স্পেসিফিকেশন যাচাই করা উচিত যেমন সৌর-গ্রেড পলিসিলিকনের জন্য GB/T 25074 এবং ইলেকট্রনিক{11}}গ্রেডের জন্য GB/T 12963 মানগুলির জন্য৷ ক্রেতাদের সর্বদা বিশ্লেষণের একটি শংসাপত্রের অনুরোধ করা উচিত যা প্রতি বিলিয়ন অংশে ধাতব এবং ডোপান্ট অশুদ্ধতার মাত্রা উভয়ই দেখাচ্ছে।

প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নাবলী

প্রশ্ন: পলিসিলিকনে 6N বলতে কী বোঝায়?
6N মানে হল 99.9999 শতাংশ সিলিকন, বা ছয় নাইন অফ বিশুদ্ধতা, যা মোট অমেধ্যকে প্রতি মিলিয়নে প্রায় এক অংশে সীমাবদ্ধ করে।

প্রশ্ন: পলিসিলিকনে 8N বলতে কী বোঝায়?
8N মানে হল 99.999999 শতাংশ সিলিকন, বা আট নাইন অফ বিশুদ্ধতা, যা মোট অমেধ্যকে প্রতি বিলিয়নে প্রায় দশ ভাগে সীমাবদ্ধ করে।

প্রশ্ন: 8N পলিসিলিকন কি 6N এর চেয়ে ভাল?
8N আরও বিশুদ্ধ এবং আরও ভাল ক্যারিয়ারকে জীবনকাল দেয়, যা উচ্চ-দক্ষ সৌর কোষগুলিকে সাহায্য করে, কিন্তু এটির দাম বেশি এবং মানক কোষ উৎপাদনের জন্য এটি অপ্রয়োজনীয়৷

প্রশ্ন: সোলার গ্রেড এবং ইলেকট্রনিক গ্রেডের মধ্যে পার্থক্য কী?
সৌর গ্রেড সাধারণত 6N থেকে 9N এবং ফটোভোলটাইক কোষের জন্য ব্যবহৃত হয়। ইলেকট্রনিক গ্রেড সাধারণত 9N থেকে 11N এবং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট তৈরির জন্য প্রয়োজনীয়।

প্রশ্ন: পলিসিলিকনে ডোপিং ব্যাপার কেন?
বোরন বা ফসফরাস দিয়ে ইচ্ছাকৃত ডোপিং বেড়ে ওঠা স্ফটিকের প্রতিরোধ ক্ষমতা সেট করে, তাই বেস পলিসিলিকন অবশ্যই অনিয়ন্ত্রিত ডোপান্ট অমেধ্যে খুব কম হতে হবে।

প্রশ্ন: আমি কীভাবে পলিসিলিকন লটের বিশুদ্ধতা পরীক্ষা করব?
গ্লো ডিসচার্জ ভর স্পেকট্রোমেট্রি বা সমতুল্য পদ্ধতি দ্বারা পরিমাপ করা অংশ প্রতি বিলিয়ন অংশে ধাতব অমেধ্য এবং ডোপান্ট অমেধ্য তালিকাভুক্ত বিশ্লেষণের একটি শংসাপত্রের অনুরোধ করুন।

অনুসন্ধান পাঠান

বাড়ি

ফোন

ই-মেইল

অনুসন্ধান