সিলিকন কার্বাইড (SiC) বৈদ্যুতিকভাবে পরিবাহী, কিন্তু এর পরিবাহিতা এর ডোপিং এবং SiC এর নির্দিষ্ট রূপের উপর নির্ভর করে পরিবর্তিত হতে পারে। SiC হল একটি সেমিকন্ডাক্টর, যার মানে এর বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা তার স্ফটিক কাঠামোতে অমেধ্য (ডোপিং) প্রবর্তন করে নিয়ন্ত্রণ করা যেতে পারে।
বিভিন্ন ধরণের SiC স্ফটিক রয়েছে, যেমন এন-টাইপ এবং পি-টাইপ:
এন-টাইপ SiC: ফসফরাস বা নাইট্রোজেনের মতো উপাদানগুলির সাথে ডোপিং অতিরিক্ত ইলেকট্রন প্রবর্তন করে, এর পরিবাহিতা বাড়ায়।
পি-টাইপ SiC: অ্যালুমিনিয়াম বা বোরনের মতো উপাদানগুলির সাথে ডোপিং "গর্ত" (পজিটিভ চার্জ ক্যারিয়ার) তৈরি করতে পারে যা বৈদ্যুতিক পরিবাহিতাতেও অবদান রাখে।
